米乐ｍ６米乐ｍ６米乐ｍ６米乐ｍ６以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为代表的第三代化合物半导体，已在功率电子领域闯出一片天下。其中，碳化硅更适应高压、大电流的应用场景，制霸新能源汽车市场，产值远超主攻中低电压市场的氮化镓。而近年来，氮化镓的应用已经不再局限于快充等消费电子市场，而是向数据中心、可再生能源甚至新能源汽车市场持续推进。

　　英诺赛科产品应用总监邹艳波表示，过去三年氮化镓的性能获得大幅提升，并且随着技术的迭代和规模效应发挥，成本与跟硅器件接近，特别是形成系统方案之后米乐ｍ６，整体的成本已经可以为客户带来收益。据了解，英诺赛科拥有全球量产8英寸硅基氮化镓的平台，产品已经覆盖15V到700V。相对于6英寸的平台，8英寸单片晶圆器件可以增加80%，单颗产品就具备30%的成本优势。

　　在数据中心、光伏逆变器、汽车、通信电源等市场，对产品功率密度、能效、开关频率、热管理、可靠性及尺寸等都提出了更高的要求。而氮化镓因具备宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等优势，正好满足了各种应用场景对高效率、低能耗户外拓展、高性价比的要求。

　　“在汽车领域，目前首先量产的是激光雷达产品，也有部分厂商正在致力于开发用于汽车主逆变器的氮化镓功率元件。”邹艳波表示。

　　氮化镓也在向中高功率领域拓展。据了解，珠海镓未来已经着手将氮化镓引入到户外电源的双向逆变器。闻泰科技旗下安世半导居全球前五大功率分立器件公司，不断提升氮化镓在数据中心等领域性能，并推出了三代650V氮化镓场效应晶体管。

　　安世半导体副总裁姜克日前出席南沙国际集成电路产业论坛时表示米乐ｍ６，未来汽车的800V构架需要的1200V器件的话，业界给的主流答案肯定是碳化硅的；但预计未来三五年，纵向的GaN的器件方案将会推出。

　　国际功率巨头更是对碳化硅和氮化镓通吃的布局态度。英飞凌去年投资20亿欧元，在马来西亚扩展宽禁带半导体的产能，就包括碳化硅和氮化镓；今年3月，英飞凌更是将斥资8.3亿美元收购氮化镓系统公司，以进一步增强英飞凌在功率系统领域的领导地位。

　　集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄表示，氮化镓在400V系统内车载充电机的应用中，可能与碳化硅材料形成竞争，但因为氮化镓材料在高压上的局限，800V系统领域短期内应该不会有竞争产生。据预测，到2025年左右，氮化镓功率元件会小批量地渗透到低功率的OBC（车载充电机）和DC-DC（直流转直流电源）中，2030年代工厂商会考虑将氮化镓移入到逆变器。

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